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NXP Semiconductors
PESD5V0U1UA/UB/UL
Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
V RWM
I RM
V BR
Parameter
reverse standoff voltage
reverse leakage current
breakdown voltage
Conditions
V RWM = 5 V
I R = 5 mA
Min
-
-
5.8
Typ
-
1
6.8
Max
5
100
8.8
Unit
V
nA
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz
V R = 0 V
V R = 5 V
-
-
2
1.7
2.6
2.3
pF
pF
r dif
differential resistance
I R = 1 mA
-
-
100
?
I
2.0
C d
(pF)
1.9
006aab348
1.8
1.7
1.6
? V CL ? V BR ? V RWM
?
P-N
+
? I RM
? I R
? I PP
V
0
1
2
3
4
5
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
V R (V)
006aaa407
Fig 2.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 3.
V-I characteristics for a unidirectional
voltage; typical values
PESD5V0U1UA_UB_UL_1
ESD protection diode
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 October 2008
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